Транзистор CM1200HC-66H это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor), производимый компанией Mitsubishi Electric. Он относится к семейству мощных полупроводниковых приборов, предназначенных для использования в высоковольтных и высокотоковых промышленных приложениях. Основные характеристики CM1200HC-66H:
Тип: IGBT-модуль (двухуровневый или half-bridge, в зависимости от конфигурации);
Постоянный ток коллектора (I<sub>C</sub>): 1200 А (при 25 °C) (Обратите внимание: при более высоких температурах допустимый ток снижается);
Корпус: Обычно в корпусе HVIGBT (High Voltage IGBT) — модуль с изолированным основанием, часто с керамической подложкой (например, Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> или AlN);
Количество ключей: Часто содержит 6 IGBT-ключей (полный мост для 3-фазного инвертера) или 2 ключа (half-bridge), в зависимости от конкретной модификации;
Уточнение: CM1200HC-66H — это 6-пакетный модуль (6-Pack), т.е. содержит 6 IGBT и 6 обратных диодов для 3-фазного моста;
Максимальная температура перехода (T<sub>j</sub>): 150 °C или 175 °C;